金属錯体の機能性創出のためには、様々な物性や反応特性の制御法が必要となる。 例えば、太陽光の利用には、より長波長の光を吸収できる錯体が有利である。 しかし従来の方法、すなわち配位子の電子的な性質を変化させる（電子吸引性・供与性基の導入する）ことで、 このような性質の改変を行うと他の物性も同時に変化してしまい（例えば励起寿命が短くなり）、 光触媒機能を低下させる原因になることが多い。
　そこで我々は、まったく新しい錯体物性の制御法の開発を目指した研究を行っている。 すなわち、配位子間に働く弱い相互作用を利用した、錯体の基底状態及び励起状態のマニピュレーションに関する研究である。 この相互作用は、レニウム錯体に導入した場合、吸収は長波長シフトするにもかかわらず、発光は短波長シフトするという、 結合を通じた従来の方法では達成できない金属錯体の新たな物性制御が可能となった。その結果、 レニウム錯体の光触媒特性や発光特性が飛躍的に向上した。